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感應耦合電漿蝕刻

簡要描述：感應耦合電漿蝕刻是在標準反應離子蝕刻（RIE）的基礎上，添加電感耦合電漿的。感應耦合電漿由磁場圍繞石英晶體管所提供。產生的高密度電漿被線圈包圍，將充當變壓器中的次級線圈，加速電子和離子，從而引起碰撞，產生更多的離子和電子。

  • 產品型號：
  • 廠商性質：經銷商
  • 更新時間：2024-07-10
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詳細介紹

品牌其他品牌應用領域環保,化工,電子/電池

感應耦合電漿蝕刻（ICP）蝕刻是在標準反應離子蝕刻（RIE）的基礎上，添加電感耦合電漿的。感應耦合電漿由磁場圍繞石英晶體管所提供。產生的高密度電漿被線圈包圍，將充當變壓器中的次級線圈，加速電子和離子，從而引起碰撞，產生更多的離子和電子。

高密度的電漿和低真空度增強了具有非等向性的高蝕刻速率?？梢愿鶕u程要求通過調節來自射頻發生器的直流偏壓來控制離子和電子能量。

SYSKEY的系統可以精準的控制製程氣體與電漿製程，並提供高精準度的薄膜蝕刻。

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感應耦合電漿蝕刻參數

應用領域腔體

  • 矽化合物蝕刻(SiO2、SiN4)。

  • 光阻蝕刻。

  • III-V族化合物半導體（GaAsn，InP，GaN）蝕刻。

  • 微機電系統。

  • 金屬與矽蝕刻。

  • 陽極電鍍處理鋁腔。

  • 通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。



配置和優點選件

  • 客製化的基板尺寸，最大直徑可達12寸晶圓。

  • 優異的薄膜均勻度小於±3％。

  • 具有高均勻度氣體分佈的質量流量控制器。

  • 穩定的溫度控制，將載盤加熱至300°C或冷卻至-20°C。

  • 使用Tornado ICP線圈，ICP電漿高達2000W，可增強低溫下的沉積。

  • 低損壞，高速率處理，高深寬比。

  • 基板具有氦氣冷卻之功能，均勻的控制溫度。

  • 均勻的氣體擴散，具有優化的氣體分佈。

  • 靜電吸盤。

  • 蝕刻終點偵測（OES，激光）相容性。

  • 可以與傳送腔、機械手臂和手套箱整合在一起。





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